P+F倍加福接近開(kāi)關(guān)NBB10-30GM50-E0質(zhì)保

漫反射型光電傳感器特別容易安裝，因?yàn)橹挥袀鞲衅饕话惭b，也不需要反射板。這些傳感器主要工作于短距離，具有較高的開(kāi)關(guān)精度，能可靠檢測(cè)到很細(xì)小的物體。帶有背景抑制功能的傳感器只在傳感器前方特定區(qū)域內(nèi)感應(yīng)到目標(biāo)物，傳感器會(huì)忽略在這個(gè)區(qū)域以外的物體。背景抑制傳感器對(duì)于背景區(qū)內(nèi)的物體不敏感，仍有較好的精度。帶背景分析的傳感器經(jīng)常用于在檢測(cè)范圍內(nèi)有固定背景下的應(yīng)用，用這個(gè)固定的背景可以對(duì)齊或者調(diào)節(jié)傳感器。

背景抑制傳感器適用于要求傳感器能夠檢測(cè)到非常接近反射背景的目標(biāo)的應(yīng)用項(xiàng)目。在目標(biāo)和背景有類似的反射率（例如，從目標(biāo)返回傳感器的光線反射率大致等于從背景反射的光線反射率），或要對(duì)照更明亮、有更多反射的背景檢測(cè)較暗目標(biāo)時(shí)，這種背景抑制尤其有效。

渦流式接近開(kāi)關(guān)

這種開(kāi)關(guān)有時(shí)也叫電感式接近開(kāi)關(guān)。它是利用導(dǎo)電物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)接近開(kāi)關(guān)時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反

作用到接近開(kāi)關(guān)，使開(kāi)關(guān)內(nèi)部電路參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)導(dǎo)電物體移近,進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢

測(cè)的物體必須是導(dǎo)電體。

1.原理:由電感線國(guó)和電容及晶體管組成振蕩器，井產(chǎn)生一個(gè)交變磁場(chǎng)，有金屬物體接近這一磁場(chǎng)時(shí)就會(huì)在金屬物體內(nèi)產(chǎn)生渦

流，從而導(dǎo)致振蕩停止，這種變化被后極放大處理后轉(zhuǎn)換成晶體管開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出[1]。

2.特點(diǎn): A、抗干擾性能好，開(kāi)關(guān)頻率高,大于200HZ. B、只能感應(yīng)金屬

3.應(yīng)用在各種機(jī)械設(shè)備上作位置檢測(cè)、計(jì)數(shù)信號(hào)拾取等。

型號(hào)列舉

NBB2-8GM25-E1-V3

NBB2-8GM25-E2-V3

NBB2-8GM25-E3-V3

NBB2-8GM30-A2-V1

NBB2-8GM30-E0

NBB2-8GM30-E0-V1

NBB2-8GM30-E2

NBB2-8GM30-E2-V1

NBB2-8GM40-E0-V1

NBB2-8GM40-E2-V1

NBB2-8GM40-E2-V3

NBB2-8GM50-E0

NBB2-8GM50-E2

NBB2-12GK50-E0

NBB2-12GK50-E2

NBB2-12GM40-E0

NBB2-12GM40-E0-V1

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